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  • FZ1200R16KF4_S1英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ1000R12KF4英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4

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  • FZ1800R16KF4代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4

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    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 電容

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    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅 晶閘管 電容

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  • 英飛凌FF450R12ME4英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4

    主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá),美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、BUSSMANN快熔

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